Компаниями Intel и Micron представлен новый тип памяти, который, по их заявлениям, является в 1000 раз быстрее, чем традиционные сегодня чипы NAND флэш-памяти и имеет в 1000 раз большую выносливость. Вскоре они планируют развернуть массовое производство новых устройств. Память сможет выполнять около одного миллиона циклов по стиранию-записи, что позволит ее эксплуатировать практически вечно.

Используемые сегодня чипы NAND флэш обеспечивают 3000 - 10000 циклов стирания-записи, а при использовании программной коррекции и исправления ошибок, количество циклов может быть увеличено. Однако, на сегодня, разработчики не смогли улучшить этот показатель более чем до 100000 циклов.

Запоминающие устройства 3D Xpoint, медленнее, чем DRAM, но значительно быстрее, чем NAND и самое главное – они являются энергонезависимыми. Как утверждает ряд аналитиков, 3D Xpoint является первым новым типом памяти за более чем 25 лет. Они считают, что 3D Xpoint по классу будет находиться между DRAM и NAND флэш чипами, и сможет заменить традиционные типы памяти как в оборудовании корпоративных центров обработки данных, так и в потребительских ноутбуках и настольных ПК.